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AON7426
30V N-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
The AON7426 combines advanced trench MOSFET
technology with a low resistance package to provide
extremely low R DS(ON) . This device is ideal for load switch
and battery protection applications.
DFN 3x3 EP
V DS
I D (at V GS =10V)
R DS(ON) (at V GS =10V)
R DS(ON) (at V GS =4.5V)
Typical ESD protection
100% UIS Tested
100% R g Tested
30V
40A
< 5.5m ?
< 8m ?
HBM Class 3A
D
Top View
Bottom View
1
2
Top View
8
7
3
6
G
4
Pin 1
Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted
5
S
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Maximum
30
±20
Units
V
V
Continuous Drain
Current G
Pulsed Drain Current
Continuous Drain
Current
C
T C =25°C
T C =100°C
T A =25°C
T A =70°C
I D
I DM
I DSM
40
31
130
18
14
A
A
Avalanche Current C
Avalanche energy L=0.1mH C
I AS , I AR
E AS , E AR
35
61
A
mJ
Power Dissipation B
Power Dissipation A
T C =25°C
T C =100°C
T A =25°C
T A =70°C
P D
P DSM
29
12
3.1
2
W
W
Junction and Storage Temperature Range
T J , T STG
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Typ
Max
Units
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Ambient A D
Maximum Junction-to-Case
t ≤ 10s
Steady-State
Steady-State
R θ JA
R θ JC
30
60
3.5
40
75
4.2
°C/W
°C/W
°C/W
Rev. 2.0: March 2013
www.aosmd.com
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